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部品番号 | BSC123N08NS3GATMA1 |
---|---|
メーカ | Infineon Technologies |
説明 | MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 |
データシート | |
パッケージ | 8-PowerTDFN |
ECAD | |
在庫 | 1,108,794 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# V72:2272_06384483 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# 60R2515 |
Infineon Technologies AG |
- Bulk (Alt: 60R2515) RoHS: Compliant
|
0 |
BSC123N08NS3GXT D# BSC123N08NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSC123N08NS3GATMA1) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# C1S322000090020 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
23210 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# BSC123N08NS3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON |
89635 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# 1775469 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 55A, 80V, PG-TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
7004 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 80 V 24 mOhm 25 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
172500 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3 G D# 726-BSC123N08NS3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
|
35388 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# 726-BSC123N08NS3GATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
|
5271 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# XSKDRABS0032249 |
Infineon Technologies AG |
TDSON-8//MOSFET N-CH 80V 55A |
5000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# 60R2515 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CHANNEL, 80V, 55A, PG-TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:80V, Continuous Drain Current Id:55A, On Resistance Rds(on):0.0103ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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2243 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 55A I(D), 80V, 0.0123OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
3988 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# 7545301 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 55 A, 80 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC123N08NS3GATMA1, PK Min Qty: 5
Container: Package
|
280 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5002 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
2509 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# 43718498 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC123N08NS3GATMA1 D# 1775469 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 55A, 80V, PG-TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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6886 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
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86-755-83210559-817
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