| 部品番号 | CSD23201W10 |
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| メーカ | Texas Instruments |
| 説明 | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| データシート | |
| パッケージ | 4-UFBGA, DSBGA |
| ECAD |
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| 在庫 | 179,460 piece(s) |
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| メーカ | Texas Instruments |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | 4-UFBGA, DSBGA |
| ECAD |
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| シリーズ | NexFET? |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 12V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.2A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 1.5V, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 325pF @ 6V |
| Vgs（最大） | -6V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 82 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-DSBGA (1x1) |
| パッケージ/ケース | 4-UFBGA, DSBGA |
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SIT8209AI-21-33S-133.330000X | SiTime, -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 3.3V, 1, -, NexFET? | 見る |
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0603J025P470CFT | Knowles Syfer, CAP CER 0.47PF 25V C0G/NP0 0603, 0603 (1608 Metric), NexFET? | 見る |
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0805Y2500272MXR | Knowles Syfer, CAP CER 0805, 0805 (2012 Metric), NexFET? | 見る |
 
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STN951 | STMicroelectronics, TRANS PNP 60V 5A SOT-223, TO-261-4, TO-261AA, NexFET? | 見る |
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AP7361-25D-13 | Diodes Incorporated, IC REG LINEAR 2.5V 1A TO252, TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, NexFET? | 見る |
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CP00075K100KE66 | Vishay Dale, RES 5.1K OHM 7W 10% AXIAL, Axial, NexFET? | 見る |
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RT0805BRB07549KL | Yageo, RES SMD 549K OHM 0.1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), NexFET? | 見る |
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THS50R01J | TE Connectivity Passive Product, RES CHAS MNT 0.01 OHM 5% 50W, Axial, Box, NexFET? | 見る |
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LQH32PBR47NN0L | Murata, FIXED IND 470NH 2.55A 30 MOHM, Nonstandard, NexFET? | 見る |
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PSA15R-120PV-R-CNR1 | Phihong USA, AC/DC WALL MOUNT ADAPTER 12V 15W, -, NexFET? | 見る |
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X9317WV8Z-2.7T1 | Renesas Electronics America, IC XDCP SGL 100TAP 10K 8-TSSOP, 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), NexFET? | 見る |
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X5001PI | Renesas Electronics America, IC SUPERVISOR CPU 8-DIP, 8-DIP (0.300", 7.62mm), NexFET? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
P CHANNEL MOSFET, NEXFET, -12V, -2.2A, DSBGA-4, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-2.2A, Drain Source Voltage Vds:-12V, On Resistance Rds(on):0.066ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Power Dissipation Pd:1W , RoHS Compliant: Yes |
528 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 D# 2156-CSD23201W10-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
458300 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
In stock shipping within 2days |
125 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
527045 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10PBF |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
200 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
6282 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
OEM/CM Immediate delivery |
3000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 D# NS-CSD23201W10 |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
6075 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
2200 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
8 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A, 12V, P-Channel MOSFET RoHS: Compliant
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458300 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
28926 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
IN stock Immediate delivery |
3015 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
shipping today |
15003 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD23201W10 |
Texas Instruments |
RFQ |
7060 |
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