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部品番号 | SI2304BDS-T1-GE3 |
---|---|
メーカ | Vishay Siliconix |
説明 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
データシート | |
パッケージ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ECAD | |
在庫 | 1,415,160 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
リードタイム | すぐに出荷可能 |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 D# V72:2272_07432760 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 D# SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2304BDS-T1-GE3) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 D# SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2304BDS-T1-GE3) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
54000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 30V 3.2A 3V @ 250uA 70mohms @ 2.5A,10V 750mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS |
4363 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 D# SI2304BDS-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
15085 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDST1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
64415 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 D# C81446 |
Vishay Intertechnologies | 4362 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
500000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 D# 781-SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V RoHS: Compliant
|
7369 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 D# 16P3704 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, TO-236, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.2A, On Resistance Rds(on):0.105ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
4122 |
SI2304BDS-T1-GE3. D# 28AC2124 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:2.6A, On Resistance Rds(on):0.055ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Product Range:-RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
3000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 D# NS-SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
15048 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2.6A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-236AA |
3975 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDST1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4388 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
499985 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V 3.2A 1.08W 70mohm @ 10V pbFree: Pb-Free
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
1042 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 D# 32396212 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
SI2304BDS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 |
41394 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
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TRANS NPN DARL 60V 4A SOT-32
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