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部品番号 2SA965-O(TE6,F,M)
メーカ Toshiba Semiconductor and Storage
説明 TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
データシート

2SA965-O(TE6,F,M) データシート

パッケージ TO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
在庫 5,888 piece(s)
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2SA965-O(TE6,F,M)の仕様

メーカToshiba Semiconductor and Storage
範疇ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - バイポーラ(BJT) - シングル
パッケージTO-226-3, TO-92-3 Long Body
ECAD
シリーズ-
トランジスタタイプPNP
電流 - コレクタ(Ic)(最大)800mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)120V
Vce飽和(最大)@Ib、Ic1V @ 50mA, 500mA
電流 - コレクタ遮断(最大)100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE)(最小)@ Ic、Vce80 @ 100mA, 5V
電力 - 最大900mW
周波数 - 遷移120MHz
動作温度150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
パッケージ/ケースTO-226-3, TO-92-3 Long Body
サプライヤデバイスパッケージLSTM

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2SA965-O(TE6,F,M) Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

2SA965-O(TE6,F,M) FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that 2SA965-O(TE6,F,M) is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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部品番号 メーカ 説明 在庫

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D# 2SA965-O(TE6FM)-ND

Toshiba America Electronic Components

TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

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