| 部品番号 | 2SB860-E |
|---|---|
| メーカ | Renesas Electronics Corporation |
| 説明 | POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 29 - 12 4 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Renesas Electronics Corporation |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| トランジスタタイプ | PNP |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 4 A |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 100 V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 1V @ 100mA, 1A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100µA |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 50 @ 500mA, 4V |
| 電力 - 最大 | 1.8 W |
| 周波数 - 遷移 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB |
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