| 部品番号 | 2SC3416E |
|---|---|
| メーカ | onsemi |
| 説明 | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 14 - 1 19 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
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| メーカ | onsemi |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100 mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 200 V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 600mV @ 2mA, 20mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 40 @ 10mA, 10V |
| 電力 - 最大 | 1.2 W |
| 周波数 - 遷移 | 70MHz |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-225AA, TO-126-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-126 |
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