| 部品番号 | 630AT |
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| メーカ | Goford Semiconductor |
| 説明 | N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 261 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 1 - 11 6 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Goford Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | TrenchFET® |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11.8 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 509 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 83W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 250mOhm @ 1A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
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