| 部品番号 | 71V424L10YG8 |
|---|---|
| メーカ | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 説明 | IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ |
| データシート | |
| パッケージ | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| ECAD |
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| 在庫 | 7,872 piece(s) |
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| メーカ | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 範疇 | 集積回路（IC） - メモリ |
| パッケージ | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | SRAM |
| 技術 | SRAM - Asynchronous |
| メモリー容量 | 4Mb (512K x 8) |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| クロック周波数 | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 10ns |
| アクセス時間 | 10ns |
| 電圧 - 供給 | 3 V ~ 3.6 V |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 36-SOJ |
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SIT8208AC-83-25E-16.367667T | SiTIME, -20 TO 70C, 7050, 50PPM, 2.5V, 1, -, - | 見る |
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ECS-100A-100 | ECS Inc., OSC XO 10.000MHZ TTL PC PIN, 14-DIP, 4 Leads (Full Size, Metal Can), - | 見る |
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CWR09FC476KBA | AVX Corporation, CAP TANT 47UF 10% 10V 2915, 2915 (7338 Metric), - | 見る |
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T95D277M004HZAS | Vishay Sprague, CAP TANT 270UF 4V 20% 2917, 2917 (7343 Metric), - | 見る |
 
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TAJB475M010RNJ | AVX Corporation, CAP TANT 4.7UF 10V 20% 1411, 1411 (3528 Metric), 1210, - | 見る |
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P4SMA16CA-E3/5A | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC SMA, DO-214AC, SMA, - | 見る |
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M55342H04B38E3RWS | Vishay Dale, RES SMD 38.3K OHM 1% 0.15W 1505, 1505, - | 見る |
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RG1608Q-42R2-D-T5 | Susumu, RES SMD 42.2 OHM 0.5% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), - | 見る |
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RUT3225JR300CS | Samsung, RESISTOR 1210 300MOHM 0.5W 1, -, - | 見る |
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CLM-112-02-FM-D-K | Samtec Inc., 1MM MICRO STRIPS, -, - | 見る |
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3280-5PG-315 | Conxall/Switchcraft, CONN PLUG 5POS INLINE PIN, -, - | 見る |
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XC6135N36ANR-G | Torex Semiconductor Ltd, ULTRA-LOW POWER (44NA) VOLTAGE D, -, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
71V424L10YG8 D# 71V424L10YG8 |
Integrated Device Technology Inc |
3.3V 512K x 8 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout - Tape and Reel (Alt: 71V424L10YG8) |
0 |
71V424L10YG D# 71V424L10YG |
Integrated Device Technology Inc |
3.3V 512K x 8 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout - Bulk (Alt: 71V424L10YG) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
71V424L10YG D# 71V424L10YG |
Renesas Electronics Corporation |
3.3V 512K x 8 Asynchronous Static RAM Center Pwr & Gnd Pinout (Alt: 71V424L10YG) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
71V424L10YG8 |
Integrated Device Technology Inc |
SRAM ASYNC SGL 3.3V 4MBIT 512KX8 10NS 36PIN SOJ - Tape and Reel |
0 |
71V424L10YG |
Integrated Device Technology Inc |
N/A |
44 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
71V424L10YG D# 71V424L10YG-ND |
Renesas Electronics Corporation |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
0 |
71V424L10YG8 D# 71V424L10YG8-ND |
Renesas Electronics Corporation |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
71V424L10YG D# 972-71V424L10YG |
Renesas Electronics Corporation |
SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM RoHS: Compliant
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187 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
71V424L10YG |
Integrated Device Technology Inc |
71V424 - 4 Meg (512K X 8-Bit) 3.3V Static RAM RoHS: Compliant
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46 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IDT71V424L10YG(8) |
Integrated Device Technology Inc |
RFQ |
11924 |
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