| 部品番号 | BCR191WE6327 |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323-3 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 12 24 - 12 29 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| トランジスタタイプ | PNP - Pre-Biased |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100 mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50 V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22 kOhms |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 50 @ 5mA, 5V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 100nA (ICBO) |
| 周波数 - 遷移 | 200 MHz |
| 電力 - 最大 | 250 mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SC-70, SOT-323 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT323-3-1 |
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