| 部品番号 | BSC200P03LSG |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | P-CHANNEL POWER MOSFET |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 9 27 - 10 2 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | OptiMOS® |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.9A (Ta), 12.5A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 100µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 48.5 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2430 pF @ 15 V |
| Vgs（最大） | ±25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.5W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 20mOhm @ 12.5A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-6 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
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