* Please refer to the English Version as our Official Version.
部品番号 | BSC886N03LSGATMA1 |
---|---|
メーカ | Infineon Technologies |
説明 | MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8 |
データシート | |
パッケージ | 8-PowerTDFN |
ECAD | |
在庫 | 7,440 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
リードタイム | 確認する |
推定配達時間 | 10 2 - 10 7 (迅速な出荷を選択) |
見積もりを依頼する |
|
お支払い方法 | |
配達サービス |
100%の顧客満足度を保証します。
経験豊富なセールスチームとテクニカルサポートチームがすべての顧客を満足させるためにサービスをサポートしています
90日間の保証を提供します。
あなたが受け取ったアイテムが完全な品質でないならば、我々はあなたの払い戻しまたは交換に対して責任があります、しかし、アイテムは彼らの元の状態で返されなければなりません。
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 D# V36:1790_06384827 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 D# BSC886N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
- Bulk (Alt: BSC886N03LSGATMA1) |
0 |
BSC886N03LSGXT D# BSC886N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R - Tape and Reel (Alt: BSC886N03LSGATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 D# C1S322000282117 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
10000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 D# BSC886N03LSGATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON |
4910 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
150 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 D# 2617422 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
4382 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 30 V 6 mOhm 20 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5039 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LS G D# 726-BSC886N03LSG |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 30V 65A TDSON-8 RoHS: Compliant
|
4449 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 D# 97Y1253 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:65A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.005ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
4372 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 13A, 30V, 0.0092ohm, N-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
|
4825 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
3391 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 |
Exar Corporation |
shipping today |
522 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 D# 43719302 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSC886N03LSGATMA1 D# 2617422 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 30V, 65A, PG-TDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
4372 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
あなたは BSC886N03LSGATMA1 についての質問がありますか?
+86-755-83210559 ext. 803
このページを表示するにはスキャンしてください
TVS DIODE 5VWM 9.8VC SOD923
1UA LOW QUIESCENT 3 TERMINAL, LO
WIRE SEAL
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
OSC MEMS 48.000MHZ CMOS SMD
TVS DIODE 10UMAX
IC USB SERIAL BASIC UART 16SSOP
IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 8SOIC
CAP ALUM 27000UF 20% 250V SCREW
FIXED IND 200NH 24A 3 MOHM SMD