| 部品番号 | BSM35GD120DN2 |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
| 説明 | IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 |
| データシート | |
| パッケージ | Module |
| ECAD |
|
| 在庫 | 5,952 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 5 8 - 5 13 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - IGBT - モジュール |
| パッケージ | Module |
| ECAD |
|
| シリーズ | - |
| IGBTタイプ | NPT |
| 構成 | Three Phase Inverter |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 50A |
| 電力 - 最大 | 280W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 3.2V @ 15V, 35A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | - |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 2nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | No |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
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1206Y0160101KFT | Knowles Syfer, CAP CER 100PF 16V C0G/NP0 1206, 1206 (3216 Metric), - | 見る |
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0603Y2000121GCR | Knowles Syfer, CAP CER 120PF 200V C0G/NP0 0603, 0603 (1608 Metric), - | 見る |
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CGA4C2C0G1H182J060AA | TDK Corporation, CAP CER 1800PF 50V C0G 0805, 0805 (2012 Metric), - | 見る |
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KP0115ACAKG03RGB-1TJB | NKK Switches, SWITCH PUSH SPST-NO 0.1A 12V, -, - | 見る |
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AMS22B5A1BHASL330N | Bourns Inc., ROTARY NON-CONTACT ANALOG SENSOR, -, - | 見る |
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Y1169532R000B0R | Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group), RES SMD 532 OHM 0.1% 0.6W J LEAD, 3017 J-Lead, - | 見る |
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AT0603DRD0786K6L | Yageo, RES SMD 86.6KOHM 0.5% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), - | 見る |
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ERA-8AEB2491V | Panasonic Electronic Components, RES SMD 2.49K OHM 0.1% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), - | 見る |
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68021-146HLF | Amphenol FCI, BS II DUAL RA, -, - | 見る |
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SP00P-20-41P(375) | Amphenol Industrial Operations, CONN RCPT 41POS WALL MNT PIN, -, - | 見る |
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MS27656T25F61PAL | Souriau, CONN RCPT HSNG MALE 61POS PNL MT, -, - | 見る |
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PT5803A | Texas Instruments, REG 1.8V 18A 4.5/5.5VIN HORZ, 18-SIP Module, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 D# V36:1790_17562500 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 17-Pin ECONO2-2 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2E3224BPSA1 D# BSM35GD120DN2E3224BPSA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 50A ±20V T/R - Trays (Alt: BSM35GD120DN2E3224BPSA1) RoHS: Compliant
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0 |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 D# BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom 280W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R - Trays (Alt: BSM35GD120DN2E3224BOSA1) RoHS: Compliant
|
0 |
BSM35GD120DN2BOSA1 D# BSM35GD120DN2BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
- Bulk (Alt: BSM35GD120DN2BOSA1) RoHS: Not Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2E3224 D# SP000091898 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 35A nom 280W 17-Pin EconoPACK 2A 107.5x45mm T/R (Alt: SP000091898) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2 |
Infineon Technologies AG |
Min Qty 10 |
0 |
BSM35GD120DN2E3224 |
Infineon Technologies AG |
Min Qty 10 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2E3224 |
Infineon Technologies AG |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel RoHS: Compliant
|
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2 D# BSM35GD120DN2-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD 1200V 50A 280W |
0 |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 D# BSM35GD120DN2E3224BOSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD 1200V 50A 280W |
0 |
BSM35GD120DN2BOSA1 D# 2156-BSM35GD120DN2BOSA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
IGBT MODULE |
90 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2 |
Eupec Gmbh & Co Kg |
In stock shipping within 2days |
216 |
BSM35GD120DN2E3224 |
Eupec Gmbh & Co Kg |
In stock shipping within 2days |
216 |
BSM35GD120DN2E |
Eupec Gmbh & Co Kg |
In stock shipping within 2days |
254 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2BOSA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
104 |
BSM35GD120DN2E3224 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1725 |
BSM35GD120DN2E |
SIEMENS / EUPEC / INFINEO |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
328 |
BSM35GD120DN2E3224BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
12 |
BSM35GD120DN2 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1725 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2E3224 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
89 |
BSM35GD120DN2 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
500 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2E2334 D# NS-BSM35GD120DN2E2334 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1448 |
BSM35GD120DN2 D# NS-BSM35GD120DN2 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
10614 |
BSM35GD120DN2E3224 D# NS-BSM35GD120DN2E3224 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
2382 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
Insulated Gate Bipolar Transistor Module RoHS: Compliant
|
90 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2E |
Siemens Semiconductors |
OEM/CM ONLY |
306 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2 |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
495 |
BSM35GD120DN2E3224 |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
84 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2 |
Eupec Gmbh & Co Kg |
shipping today |
5 |
BSM35GD120DN2E3224 |
Eupec Gmbh & Co Kg |
shipping today |
5 |
BSM35GD120DN2E |
SEMIKRON |
shipping today |
25 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2 |
mfr |
RFQ |
11189 |
BSM35GD120DN2E3224 |
Eupec Gmbh & Co Kg |
RFQ |
14031 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSM35GD120DN2 |
eupec GmbH |
IGBT Power Module |
300 |
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