| 部品番号 | BSP129L6906 |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| 推定配達時間 | 7 3 - 7 8 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | SIPMOS® |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 240 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 350mA (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 0V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 108µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5.7 nC @ 5 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 108 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | Depletion Mode |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6Ohm @ 350mA, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4-21 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
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