| 部品番号 | BSP171PE6327T |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
| データシート | |
| パッケージ | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| 在庫 | 2,560 piece(s) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| シリーズ | SIPMOS? |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.9A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 460µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 20nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 460pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 300 mOhm @ 1.9A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP171PE6327T |
Infineon Technologies AG |
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP171PE6327T D# BSP171PE6327XTINTR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP171PE6327T D# NS-BSP171PE6327T |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1625 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP171PE6327T |
Infineon Technologies AG |
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