| 部品番号 | BSP295E6327 |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
| データシート | |
| パッケージ | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| 在庫 | 2,176 piece(s) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| シリーズ | SIPMOS? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.8A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.8V @ 400µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 368pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1.8W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT223-4 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
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SIT8209AI-G2-18S-133.333333Y | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 25PPM, 1.8V, 1, -, SIPMOS? | 見る |
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1206Y1000823KET | Knowles Syfer, CAP CER 1206, -, SIPMOS? | 見る |
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VJ1206Y121JBBAT4X | Vishay Vitramon, CAP CER 120PF 100V X7R 1206, 1206 (3216 Metric), SIPMOS? | 見る |
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C2012C0G2A153J085AC | TDK Corporation, CAP CER 0.015UF 100V C0G 0805, 0805 (2012 Metric), SIPMOS? | 見る |
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B43041F2156M | EPCOS (TDK), CAP ALUM 15UF 20% 250V RADIAL, Radial, Can, SIPMOS? | 見る |
 
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24FC256-I/ST | Microchip Technology, IC EEPROM 256KBIT 1MHZ 8TSSOP, 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), SIPMOS? | 見る |
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EPF10K50SQC240-1N | Altera, IC FPGA 189 I/O 240QFP, 240-BFQFP, SIPMOS? | 見る |
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5KP15AHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 15VWM 24.4VC P600, P600, Axial, SIPMOS? | 見る |
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RG1005V-1871-C-T10 | Susumu, RES SMD 1.87K OHM 1/16W 0402, 0402 (1005 Metric), SIPMOS? | 見る |
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1-1776770-4 | TE Connectivity AMP Connectors, TERM BLOCK PLUG 4POS STR 10.16MM, -, SIPMOS? | 見る |
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EHT-120-01-S-D-SM-19 | Samtec Inc., 2MM EJECTOR HEADER, -, SIPMOS? | 見る |
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DJT14E13-98PB | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN RCPT 10POS JAM NUT W/PINS, -, SIPMOS? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327 |
Lantiq | 6 | |
BSP295E6327T |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327 |
Siemens |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Not Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327T D# BSP295XTINTR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 |
0 |
BSP295E6327 D# BSP295INTR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327 |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
123 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327 |
Siemens |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
18303 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327 |
Infineon Technologies AG | 140 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP 295 E6327 |
Infineon Technologies AG |
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569 |
BSP295 E6327 |
Infineon Technologies AG |
in stock - can ship the same day |
54 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
28 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327 D# XSCRSN000004556 |
Infineon Technologies AG | 343 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327T D# NS-BSP295E6327T |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1824 |
BSP295E6327 D# NS-BSP295E6327 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
8427 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP 295 E6327 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
35581 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295E6327 |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
23 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSP295 E6327 |
Infineon Technologies AG |
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14999 |
BSP295E6327T |
Infineon Technologies AG |
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45635 |
BSP295E6327 |
Infineon Technologies AG |
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45635 |
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