部品番号 | BSZ100N06LS3 G |
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メーカ | Infineon Technologies |
説明 | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 |
データシート | |
パッケージ | 8-PowerVDFN |
ECAD |
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在庫 | 269,538 piece(s) |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 D# V72:2272_06384814 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GXT D# BSZ100N06LS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ100N06LS3GATMA1) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 60V 11A 2.2V @ 23uA 10mohms @ 20A,10V 2.1W PG-TSDSON-8 MOSFET RoHS |
1 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 D# BSZ100N06LS3GATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON |
79 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 D# 2212836 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 20A, 8TSDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
4180 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 60 V 10 mOhm 34 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
40250 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 D# C513238 |
Infineon Technologies AG | 1 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 D# 726-BSZ100N06LS3GATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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790 |
BSZ100N06LS3 G D# 726-BSZ100N06LS3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
|
10476 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 D# XSKDRABS0030557 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS |
10000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 D# 47W3363 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 20A, 8TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:20A, On Resistance Rds(on):0.008ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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4180 |
BSZ100N06LS3GATMA1. D# 25AC6456 |
Infineon Technologies AG |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:20A, On Resistance Rds(on):0.008ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 D# 7528255P |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON Infineon BSZ100N06LS3GATMA1, RL Min Qty: 5
Container: Reel
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4235 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3 G D# TMOSP9396 |
Infineon Technologies AG |
N-CH 60V 20A 10mOhm S3O8 RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5016 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ100N06LS3GATMA1 D# 2212836 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 60V, 20A, 8TSDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
5011 |
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