部品番号 | BSZ900N20NS3 G |
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メーカ | Infineon Technologies |
説明 | MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON |
データシート | |
パッケージ | 8-PowerTDFN |
ECAD | |
在庫 | 235,080 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# V72:2272_06383706 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# 79X1341 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 79X1341) RoHS: Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# SP000781806 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: SP000781806) RoHS: Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 15.2A, TSDSON-8 |
4171 |
BSZ900N20NS3 G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 15.2A, TSDSON-8 |
4171 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# BSZ900N20NS3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON |
5000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3G |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
14980 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# 2432723RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 15.2A, TSDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GCTND |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
184 |
BSZ900N20NS3GATMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
17250 |
BSZ900N20NS3G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
256 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
14720 |
BSZ900N20NS3 G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
80 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3 G D# 726-BSZ900N20NS3G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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6222 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# 726-BSZ900N20NS3GATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
|
3685 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# XSFP00000136212 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 200 V 90 mOhm 8.7 nC OptiMOS Power Mosfet - TSDSON-8 |
10000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# 79X1341 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 15.2A, PG-TSDSON- 8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:15.2A, On Resistance Rds(on):0.077ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10VRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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18 |
BSZ900N20NS3GATMA1. D# 27AC1118 |
Infineon Technologies AG |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:15.2A, On Resistance Rds(on):0.077ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3 G D# NS-BSZ900N20NS3 G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5065 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GCTND |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
176 |
BSZ900N20NS3G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1687 |
BSZ900N20NS3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
9680 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3G |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
14735 |
BSZ900N20NS3 G |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
75 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3G |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
58 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# 45524779 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3G |
Infineon Technologies AG |
OptiMOSTM3 Power-Transistor |
5241 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
BSZ900N20NS3GATMA1 D# 2432723 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 15.2A, TSDSON-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
970 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
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