| 部品番号 | CSD19538Q2T |
|---|---|
| メーカ | Texas Instruments |
| 説明 | MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON |
| データシート | |
| パッケージ | 6-WDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| 在庫 | 16,950 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
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| メーカ | Texas Instruments |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | 6-WDFN Exposed Pad |
| ECAD |
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| シリーズ | NexFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13.1A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.8V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 454pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 59 mOhm @ 5A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-WSON (2x2) |
| パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
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SIT1602BI-12-33E-38.400000D | SiTime, -40 TO 85C, 2520, 25PPM, 3.3V, 3, -, NexFET? | 見る |
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1206Y0636P80CAT | Knowles Syfer, CAP CER 1206, -, NexFET? | 見る |
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RT0603DRE0724R9L | Yageo, RES SMD 24.9 OHM 0.5% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), NexFET? | 見る |
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DWM-04-57-S-S-415 | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, NexFET? | 見る |
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MS3476W12-8SZ | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN PLUG 8POS INLINE SCKT, -, NexFET? | 見る |
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TXR54AC90-1004AI | TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine, CONN BACKSHELL ADPT SZ 10-10SL, -, NexFET? | 見る |
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VI-203-EY-B1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 24V 50W, Full Brick, NexFET? | 見る |
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JCB0348D09 | XP Power, DC/DC CONVERTER +/-9V 3W, 24-DIP Module, 14 Leads, NexFET? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2T D# V72:2272_16335409 |
Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R RoHS: Compliant
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0 |
CSD19538Q2 D# V72:2272_16335408 |
Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2 D# 296-47322-2-ND |
Texas Instruments |
MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON |
0 |
CSD19538Q2T D# 296-44612-1-ND |
Texas Instruments |
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON |
600 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2T D# 3125065RL |
Texas Instruments |
MOSFET, N-CH, 100V, 13.1A, WSON-6 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2 |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
4916 | |
CSD19538Q2T |
TEXAS INSTRUMENTS |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1314 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2 |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
2952 |
CSD19538Q2T |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
1262 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2 |
Texas Instruments |
OEM/CM Immediate delivery |
8672 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2T D# 595-CSD19538Q2T |
Texas Instruments |
MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET RoHS: Compliant
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29 |
CSD19538Q2 D# 595-CSD19538Q2 |
Texas Instruments |
MOSFET 100-V,49-m ohms, SON2-mm 2-mmNexFET power RoHS: Compliant
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3250 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2T D# 52AH3718 |
Texas Instruments |
MOSFET, N-CH, 100V, 13.1A, WSON-6, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:13.1A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.049ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.2V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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325 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2 |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
3016 |
CSD19538Q2T |
Texas Instruments |
OEM/CM ONLY |
221 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2 |
Texas Instruments |
IN stock Immediate delivery |
8687 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2 |
Texas Instruments |
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm |
67 |
CSD19538Q2T |
Texas Instruments |
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 59 mOhm |
65 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2T D# 53821525 |
Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 14.4A 6-Pin WSON EP T/R RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
CSD19538Q2T D# 3125065 |
Texas Instruments |
MOSFET, N-CH, 100V, 13.1A, WSON-6 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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