| 部品番号 | DTD113E |
|---|---|
| メーカ | onsemi |
| 説明 | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 8 30 - 9 4 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | onsemi |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル、プリバイアス |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| トランジスタタイプ | NPN - Pre-Biased |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 100 mA |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 50 V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 1 kOhms |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Vce飽和（最大）@Ib、Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 500nA |
| 周波数 - 遷移 | - |
| 電力 - 最大 | 350 mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92 (TO-226) |
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