| 部品番号 | EPC2010CENGR |
|---|---|
| メーカ | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
| データシート | |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
|
| 在庫 | 4,864 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 7 4 - 7 9 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | EPC |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
|
| シリーズ | eGaN? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 22A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 3mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 3.7nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 380pF @ 100V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 25 mOhm @ 12A, 5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die Outline (7-Solder Bar) |
| パッケージ/ケース | Die |
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SIT1602BC-22-25E-25.000625E | SiTime, -20 TO 70C, 3225, 25PPM, 2.5V, 2, -, eGaN? | 見る |
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MAX15303AA00+CM | Maxim Integrated, IC REG BUCK ADJ 6A SYNC 40TQFN, 40-WFQFN Exposed Pad, eGaN? | 見る |
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A3P1000-1FG256I | Microsemi Corporation, IC FPGA 177 I/O 256FBGA, 256-LBGA, eGaN? | 見る |
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1825073-3 | TE Connectivity ALCOSWITCH Switches, SWITCH SLIDE SP5T 250MA 125V, -, eGaN? | 見る |
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RG1608N-1272-D-T5 | Susumu, RES SMD 12.7KOHM 0.5% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), eGaN? | 見る |
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RT0805BRE0714KL | Yageo, RES SMD 14K OHM 0.1% 1/8W 0805, 0805 (2012 Metric), eGaN? | 見る |
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712-87-132-41-001101 | Preci-Dip, CONN PIN RCPT .016-.022 SOLDER, -, eGaN? | 見る |
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KE203251A000G | Amphenol Anytek, TERM BLOCK HDR 20POS 3.81MM, -, eGaN? | 見る |
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009177001033006 | AVX Corporation, CONN SSL IDC CONTACT 20AWG SLDR, -, eGaN? | 見る |
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EEC28DREN-S93 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 56POS 0.100, -, eGaN? | 見る |
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VBSD1-S3.3-S3.3-SIP | CUI Inc., CONVERTER DC/DC 3.3V OUT 1W, 4-SIP Module, eGaN? | 見る |
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VI-B3Y-EU-F1 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 132W, Full Brick, eGaN? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion | 1755 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
10000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 D# 917-1017-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 3A DIE |
0 |
EPC9052 D# 917-1115-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV EPC2012C EGAN FET |
15 |
EPC9004C D# 917-1092-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN |
11 |
EPC9004 D# 917-1013-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN |
0 |
EPC2012C D# 917-1084-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
24551 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2018 |
EPC2012C |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
20125 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 D# NS-EPC2012 |
EPC |
OEM/CM ONLY |
4073 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 200V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, GALLIUM NITRIDE, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
155 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012C |
EFFICIENT-POWER-CONVERSION-CORPORATION |
OEM/CM ONLY |
20095 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM ONLY |
3685 |
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