| 部品番号 | EPC2012CENGR |
|---|---|
| メーカ | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
| データシート | |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
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| 在庫 | 5,504 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 5 25 - 5 30 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | EPC |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
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| シリーズ | eGaN? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 1nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 100pF @ 100V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die Outline (4-Solder Bar) |
| パッケージ/ケース | Die |
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MKP385475100JKI2B0 | Vishay BC Components, CAP FILM 0.75UF 5% 1KVDC RADIAL, Radial, eGaN? | 見る |
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1808YA250180FCTSY2 | Knowles Syfer, CAP CER 1808, -, eGaN? | 見る |
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REF192FSZ-REEL | Analog Devices Inc., IC VREF SERIES 2.5V 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), eGaN? | 見る |
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SA7V5A | Fairchild/ON Semiconductor, TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO15, DO-204AC, DO-15, Axial, eGaN? | 見る |
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CMF55800K00FHEB | Vishay Dale, RES 800K OHM 1/2W 1% AXIAL, Axial, eGaN? | 見る |
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RG3216V-3002-P-T1 | Susumu, RES SMD 30K OHM 0.02% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), eGaN? | 見る |
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PHP00805E1370BBT1 | Vishay Thin Film, RES SMD 137 OHM 0.1% 5/8W 0805, 0805 (2012 Metric), eGaN? | 見る |
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1008-222J | API Delevan Inc., FIXED IND 2.2UH 433MA 800 MOHM, Nonstandard, eGaN? | 見る |
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77313-101-70LF | Amphenol FCI, BERGSTIK, -, eGaN? | 見る |
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CN1021A22G55SNY040 | Cinch Connectivity Solutions, CONN RCPT HSG FMALE 55POS PNL MT, -, eGaN? | 見る |
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D38999/26MC8SN-LC | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN PLUG HSNG FMALE 8POS INLINE, -, eGaN? | 見る |
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ACM43DRAN | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 86POS 0.156, -, eGaN? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion | 1755 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
10000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 D# 917-1017-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 3A DIE |
0 |
EPC9052 D# 917-1115-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV EPC2012C EGAN FET |
15 |
EPC9004C D# 917-1092-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN |
11 |
EPC9004 D# 917-1013-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN |
0 |
EPC2012C D# 917-1084-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
24551 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012C |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
20125 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2018 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 D# NS-EPC2012 |
EPC |
OEM/CM ONLY |
4073 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 200V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, GALLIUM NITRIDE, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
155 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012C |
EFFICIENT-POWER-CONVERSION-CORPORATION |
OEM/CM ONLY |
20095 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM ONLY |
3685 |
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