| 部品番号 | EPC2015CENGR |
|---|---|
| メーカ | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE |
| データシート | |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
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| 在庫 | 4,336 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 3 1 - 3 6 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | EPC |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
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| シリーズ | eGaN? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 9mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 8.7nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000pF @ 20V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4 mOhm @ 33A, 5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die Outline (11-Solder Bar) |
| パッケージ/ケース | Die |
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SIT1602BC-21-33S-3.570000D | SiTime, -20 TO 70C, 3225, 20PPM, 3.3V, 3, -, eGaN? | 見る |
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1825Y0250683MXR | Knowles Syfer, CAP CER 0.068UF 25V X7R 1825, 1825 (4564 Metric), eGaN? | 見る |
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ALD111910PAL | Advanced Linear Devices Inc., MOSFET 2N-CH 8DIP, -, eGaN? | 見る |
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S-8356Q35MC-OYUT2U | SII Semiconductor Corporation, IC REG CTRLR BOOST SOT23-5, SC-74A, SOT-753, eGaN? | 見る |
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C4IDCG | Crydom Co., INPUT MODULE DC 10MA 4.5-30VDC, -, eGaN? | 見る |
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RNC55H6442BSB14 | Vishay Dale, RES 64.4K OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, eGaN? | 見る |
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M1330-28K | API Delevan Inc., FIXED IND 2.2UH 415MA 400 MOHM, Nonstandard, eGaN? | 見る |
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323165 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN RING CIRC 8AWG #10 CRIMP, -, eGaN? | 見る |
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V71212510000G | Amphenol Anytek, TERM BLOCK HDR 12POS 90DEG 3.5MM, -, eGaN? | 見る |
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DW-15-15-L-D-285 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, eGaN? | 見る |
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DCMM-8W8S | ITT Cannon, LLC, DSUB 8W8 F SOD G50, -, eGaN? | 見る |
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ECC49DCWS-S518 | Sullins Connector Solutions, CONN ISA FEMALE 98POS 0.100 GOLD, -, eGaN? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion | 1755 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
10000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC9004C D# 917-1092-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN |
11 |
EPC9004 D# 917-1013-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN |
0 |
EPC2012C D# 917-1084-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
24551 |
EPC2012 D# 917-1017-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 3A DIE |
0 |
EPC9052 D# 917-1115-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV EPC2012C EGAN FET |
15 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012C |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
20125 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2018 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 D# NS-EPC2012 |
EPC |
OEM/CM ONLY |
4073 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 200V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, GALLIUM NITRIDE, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
155 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012C |
EFFICIENT-POWER-CONVERSION-CORPORATION |
OEM/CM ONLY |
20095 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM ONLY |
3685 |
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