| 部品番号 | EPC2015CENGR |
|---|---|
| メーカ | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE |
| データシート | |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
|
| 在庫 | 4,336 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 5 2 - 5 7 (迅速な出荷を選択) |
| 見積もりを依頼する |
|
| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | EPC |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
|
| シリーズ | eGaN? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 9mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 8.7nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000pF @ 20V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4 mOhm @ 33A, 5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die Outline (11-Solder Bar) |
| パッケージ/ケース | Die |
|
SIT1602BC-21-33S-3.570000D | SiTIME, -20 TO 70C, 3225, 20PPM, 3.3V, 3, -, eGaN? | 見る |
|
1825Y0250683MXR | Knowles Syfer, CAP CER 0.068UF 25V X7R 1825, 1825 (4564 Metric), eGaN? | 見る |
|
|
ALD111910PAL | Advanced Linear Devices Inc., MOSFET 2N-CH 8DIP, -, eGaN? | 見る |
|
S-8356Q35MC-OYUT2U | SII Semiconductor Corporation, IC REG CTRLR BOOST SOT23-5, SC-74A, SOT-753, eGaN? | 見る |
|
C4IDCG | Crydom Co., INPUT MODULE DC 10MA 4.5-30VDC, -, eGaN? | 見る |
|
RNC55H6442BSB14 | Vishay Dale, RES 64.4K OHM 1/8W .1% AXIAL, Axial, eGaN? | 見る |
|
|
M1330-28K | API Delevan Inc., FIXED IND 2.2UH 415MA 400 MOHM, Nonstandard, eGaN? | 見る |
|
323165 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN RING CIRC 8AWG #10 CRIMP, -, eGaN? | 見る |
|
|
V71212510000G | Amphenol Anytek, TERM BLOCK HDR 12POS 90DEG 3.5MM, -, eGaN? | 見る |
|
|
DW-15-15-L-D-285 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, eGaN? | 見る |
|
DCMM-8W8S | ITT Cannon, LLC, DSUB 8W8 F SOD G50, -, eGaN? | 見る |
|
|
ECC49DCWS-S518 | Sullins Connector Solutions, CONN ISA FEMALE 98POS 0.100 GOLD, -, eGaN? | 見る |
100％の顧客満足度を保証します。
経験豊富なセールスチームとテクニカルサポートチームがすべての顧客を満足させるためにサービスをサポートしています
90日間の保証を提供します。
あなたが受け取ったアイテムが完全な品質でないならば、我々はあなたの払い戻しまたは交換に対して責任があります、しかし、アイテムは彼らの元の状態で返されなければなりません。
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion | 1755 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
10000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 D# 917-1017-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 3A DIE |
0 |
EPC9052 D# 917-1115-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV EPC2012C EGAN FET |
15 |
EPC9004C D# 917-1092-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN |
11 |
EPC9004 D# 917-1013-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN |
0 |
EPC2012C D# 917-1084-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
24551 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012C |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
20125 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2018 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 D# NS-EPC2012 |
EPC |
OEM/CM ONLY |
4073 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 200V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, GALLIUM NITRIDE, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
155 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012C |
EFFICIENT-POWER-CONVERSION-CORPORATION |
OEM/CM ONLY |
20095 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM ONLY |
3685 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
あなたは EPC2015CENGR についての質問がありますか？
86-755-83210559-817
このページを表示するにはスキャンしてください
