| 部品番号 | EPC2019ENG |
|---|---|
| メーカ | EPC |
| 説明 | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
| データシート | |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
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| 在庫 | 2,288 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 12 24 - 12 29 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | EPC |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | Die |
| ECAD |
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| シリーズ | eGaN? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.5A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 2.5nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 270pF @ 100V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 50 mOhm @ 7A, 5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| パッケージ/ケース | Die |
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1808J2K00680FCT | Knowles Syfer, CAP CER 68PF 2KV C0G/NP0 1808, 1808 (4520 Metric), eGaN? | 見る |
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0805Y2500821MDT | Knowles Syfer, CAP CER 820PF 250V X7R 0805, 0805 (2012 Metric), eGaN? | 見る |
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ADM706AR-REEL7 | Analog Devices Inc., IC SUPERVISOR MPU 4.40V WD 8SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), eGaN? | 見る |
 
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VESD05C-FC1-GS08 | Vishay Semiconductor Diodes Division, TVS DIODE 5VWM 12VC FLIPCHIP, 4-UFBGA, FCBGA, eGaN? | 見る |
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0283100.H | Littelfuse Inc., FUSE AUTO 100A 32VDC 100 PACK, Auto Link, eGaN? | 見る |
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CRCW201010R7FKEF | Vishay Dale, RES SMD 10.7 OHM 1% 3/4W 2010, 2010 (5025 Metric), eGaN? | 見る |
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AA1206FR-074M75L | Yageo, RES SMD 4.75M OHM 1% 1/4W 1206, 1206 (3216 Metric), eGaN? | 見る |
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4232R-391F | API Delevan Inc., FIXED IND 390NH 380MA 840 MOHM, 2-SMD, eGaN? | 見る |
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EHT-105-01-T-D-SM | Samtec Inc., 2MM EJECTOR HEADER, -, eGaN? | 見る |
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2M801-008-16ZNU6-4SA | Amphenol Aerospace Operations, M801 4C 4#23 SKT PLUG THRD, -, eGaN? | 見る |
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VI-JT4-EW-F4 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W, Half Brick, eGaN? | 見る |
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5SGXEA5K2F35C2N | Intel, IC FPGA 432 I/O 1152FBGA, 1152-BBGA, FCBGA, eGaN? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion | 1755 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
10000 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC9052 D# 917-1115-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV EPC2012C EGAN FET |
15 |
EPC9004C D# 917-1092-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN |
11 |
EPC9004 D# 917-1013-ND |
Efficient Power Conversion |
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN |
0 |
EPC2012C D# 917-1084-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
24551 |
EPC2012 D# 917-1017-2-ND |
Efficient Power Conversion |
GANFET N-CH 200V 3A DIE |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012C |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
20125 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2018 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 D# NS-EPC2012 |
EPC |
OEM/CM ONLY |
4073 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3A I(D), 200V, 0.1OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, GALLIUM NITRIDE, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET |
155 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
EPC2012 |
Efficient Power Conversion |
OEM/CM ONLY |
3685 |
EPC2012C |
EFFICIENT-POWER-CONVERSION-CORPORATION |
OEM/CM ONLY |
20095 |
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