| 部品番号 | EPC2215 |
|---|---|
| メーカ | EPC |
| 説明 | GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 25,461 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 12 20 - 12 25 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | EPC |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 32A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 6mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17.7 nC @ 5 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1790 pF @ 100 V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8mOhm @ 20A, 5V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| パッケージ/ケース | Die |
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