| 部品番号 | EPC7003ASH |
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| メーカ | EPC Space, LLC |
| 説明 | GAN FET HEMT 100V 10A.045OHM 4UB |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| 推定配達時間 | 9 30 - 10 5 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | EPC Space, LLC |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | eGaN®, FSMD-A |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 1.4mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 2.2 nC @ 5 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 233 pF @ 50 V |
| Vgs（最大） | +6V, -4V |
| FET機能 | Depletion Mode |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 45mOhm @ 10A, 5V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-SMD |
| パッケージ/ケース | 4-SMD, No Lead |
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