部品番号 | FS150R12KT3 |
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メーカ | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
説明 | IGBT MODULE VCES 650V 150A |
データシート | |
パッケージ | - |
ECAD | |
在庫 | 6,512 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
リードタイム | すぐに出荷可能 |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 D# V99:2348_18205075 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 D# FS150R12KT3BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 200A ±20V Screw Tray - Bulk (Alt: FS150R12KT3BOSA1) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3 D# SP000100440 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 200A 35-pin ECONO3-4 (Alt: SP000100440) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3 |
Infineon Technologies AG |
SP000100440_MEDIUM POWER ECONO_TY_RO |
50 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 D# C1S322000203572 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700000mW 42-Pin ECONO3-4 Tray RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
|
10 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 D# FS150R12KT3BOSA1-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD 1200V 200A 700W |
8 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3 |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
300 |
FS150R12KT3G |
Eupec Gmbh & Co Kg |
In stock shipping within 2days |
218 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 D# 2726178 |
Infineon Technologies AG |
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 200A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
18 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
23000 |
FS150R12KT3BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
17 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
60 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3 D# 641-FS150R12KT3 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A |
19 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 D# 13AC8749 |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD, N-CH, 1.2KV, 200A, 700W, DC Collector Current:200A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:700W, Junction Temperature, Tj Max:125°C, IGBT Termination:Press Fit, Transistor Polarity:N ChannelRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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5 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
FS150R12 - IGBT Module RoHS: Compliant
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27 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
103 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3 |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
55 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3 |
Eupec Gmbh & Co Kg |
shipping today |
6 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 D# 43713813 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3 |
Infineon Technologies AG |
RFQ |
12959 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS150R12KT3BOSA1 D# 2726178 |
Infineon Technologies AG |
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 200A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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17 |
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