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| 部品番号 | FS35R12W1T4BOMA1 |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
| 説明 | IGBT MODULE 1200V 35A |
| データシート | |
| パッケージ | Module |
| ECAD |
|
| 在庫 | 5,808 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 4 - 11 9 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - IGBT - モジュール |
| パッケージ | Module |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| IGBTタイプ | Trench Field Stop |
| 構成 | Three Phase Inverter |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 65A |
| 電力 - 最大 | 225W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.25V @ 15V, 35A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1mA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 2nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | Yes |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
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590GD-ADG | Silicon Labs, OSC PROG CMOS 2.5V EN/DS 7PPM, 6-SMD, No Lead, - | 見る |
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HC-49/U-S13560000BQIB | Citizen Finedevice Co Ltd, CRYSTAL 13.5600MHZ 16PF T/H, HC49/US, - | 見る |
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ABM12W-36.0000MHZ-6-B1U-T3 | Abracon LLC, CRYSTALS 36.0000MHZ 6PF SMD, 4-SMD, No Lead, - | 見る |
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FST16040 | GeneSiC Semiconductor, DIODE MODULE 40V 160A TO249AB, TO-249AB, - | 見る |
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ZGP323LEH2008C00TR | Zilog, IC MCU 8BIT 8KB OTP 20SSOP, 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width), - | 見る |
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ESQT-122-03-M-S-309 | Samtec Inc., ELEVATED 2MM SOCKETS, -, - | 見る |
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0015913124 | Molex, LLC, CONN HEADER 12POS .100 R/A SMD, -, - | 見る |
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DW-36-20-T-S-760 | Samtec Inc., .025" BOARD SPACERS, -, - | 見る |
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FH19C-10S-0.5SH(05) | Hirose Electric Co Ltd, CONN FFC BOTTOM 10POS 0.50MM R/A, -, - | 見る |
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D38999/24TG41JA | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT FMALE 41POS GOLD CRIMP, -, - | 見る |
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MS27473T12F3PLC | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG HSNG MALE 3POS INLINE, -, - | 見る |
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MT52L256M64D2PD-107 WT:B | Micron Technology Inc., IC DRAM 16G 933MHZ FBGA, -, - | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4BOMA1 D# V99:2348_17562481 |
Infineon Technologies AG |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 65A 225000mW 18-Pin EASY1B-1 Tray |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4BOMA1 D# FS35R12W1T4BOMA1 |
Infineon Technologies AG |
LOW POWER EASY - Trays (Alt: FS35R12W1T4BOMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4BOMA1 D# FS35R12W1T4BOMA1-ND |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD 1200V 65A 225W |
144 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4BOMA1 D# 2726186 |
Infineon Technologies AG |
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 65A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4BOMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
101 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4BOMA1 |
Infineon Technologies AG |
IGBT MOD 1200V 65A 225W RoHS: Compliant
|
75 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4 D# 641-FS35R12W1T4 |
Infineon Technologies AG |
IGBT Modules N-CH 1.2KV 65A RoHS: Compliant
|
273 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4BOMA1 D# 13AC8756 |
Infineon Technologies AG |
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 65A, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:65A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V, Power Dissipation Pd:225W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, Transistor Case RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4BOMA1 |
INFINEON TECHNOLOGIES INDUSTRIAL POWER AND CONTROL |
OEM/CM ONLY |
170 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
FS35R12W1T4BOMA1 D# 2726186 |
Infineon Technologies AG |
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 65A RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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0 |
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