| 部品番号 | G1007 |
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| メーカ | Goford Semiconductor |
| 説明 | N100V,7A,RD<110M@10V,VTH1.0V~3.0 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| メーカ | Goford Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 612 pF @ 50 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 28W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 110mOhm @ 1A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOP |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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