| 部品番号 | G3R160MT17D |
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| メーカ | GeneSiC Semiconductor |
| 説明 | SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 2,616 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
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| メーカ | GeneSiC Semiconductor |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | G3R™ |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1700 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 15V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.7V @ 5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 51 nC @ 15 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1272 pF @ 1000 V |
| Vgs（最大） | ±15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 175W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 208mOhm @ 12A, 15V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
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