| 部品番号 | GAN039-650NTBZ |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 説明 | 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| リードタイム | 確認する |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 58.5A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.6V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1980 pF @ 400 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 250W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 39mOhm @ 32A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | CCPAK1212i |
| パッケージ/ケース | 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad |
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