| 部品番号 | GAN041-650WSBQ |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 説明 | GAN041-650WSB/SOT429/TO-247 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 855 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 16 - 1 21 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 47.2A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1500 pF @ 400 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 187W |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 41mOhm @ 32A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
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