| 部品番号 | GAN080-650EBEZ |
|---|---|
| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 説明 | 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE ( |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 6,039 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 7 9 - 7 14 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 29A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 30.7mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 6.2 nC @ 6 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225 pF @ 400 V |
| Vgs（最大） | +7V, -6V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 240W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 80mOhm @ 8A, 6V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN8080-8 |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad |
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