| 部品番号 | GAN190-650EBEZ |
|---|---|
| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 説明 | 650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 6,876 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 1 28 - 2 2 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Nexperia USA Inc. |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 11.5A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 12.2mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 2.8 nC @ 6 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 96 pF @ 400 V |
| Vgs（最大） | +7V, -1.4V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 125W (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 190mOhm @ 3.9A, 6V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| サプライヤデバイスパッケージ | DFN8080-8 |
| パッケージ/ケース | 8-VDFN Exposed Pad |
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