| 部品番号 | GPI90005DF88 |
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| メーカ | GaNPower |
| 説明 | GaNFET N-CH 900V 5A DFN8x8 |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
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| 推定配達時間 | 10 8 - 10 13 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | GaNPower |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 900 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5A |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.3V @ 3.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 1.6 nC @ 6 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 39 pF @ 400 V |
| Vgs（最大） | +7.5V, -12V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 320mOhm @ 1A, 6V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-DFN (8x8) |
| パッケージ/ケース | 8-DFN |
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