| 部品番号 | GT30J65MRB-S1E |
|---|---|
| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 説明 | 650V SILICON N-CHANNEL IGBT, TO- |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 237 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 10 3 - 10 8 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - IGBT - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| IGBTタイプ | - |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 650 V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 60 A |
| 電流 - コレクタパルス（Icm） | - |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
| 電力 - 最大 | 200 W |
| スイッチングエネルギー | 1.4mJ (on), 220µJ (off) |
| 入力方式 | Standard |
| ゲートチャージ | 70 nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 75ns/400ns |
| テスト条件 | 400V, 15A, 56Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trr） | 200 ns |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P(N) |
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