* Please refer to the English Version as our Official Version.
| 部品番号 | IMBG65R107M1HXTMA1 |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
|
| 在庫 | 2,955 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 7 5 - 7 10 (迅速な出荷を選択) |
| 見積もりを依頼する |
|
| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
|
| シリーズ | CoolSIC™ M1 |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 18V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.7V @ 2.6mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 15 nC @ 18 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 496 pF @ 400 V |
| Vgs（最大） | +23V, -5V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 110W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 141mOhm @ 8.9A, 18V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
100％の顧客満足度を保証します。
経験豊富なセールスチームとテクニカルサポートチームがすべての顧客を満足させるためにサービスをサポートしています
90日間の保証を提供します。
あなたが受け取ったアイテムが完全な品質でないならば、我々はあなたの払い戻しまたは交換に対して責任があります、しかし、アイテムは彼らの元の状態で返されなければなりません。
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
あなたは IMBG65R107M1HXTMA1 についての質問がありますか？
+86-755-83210135-818
このページを表示するにはスキャンしてください
