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| 部品番号 | IMYH200R024M1HXKSA1 |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | SIC DISCRETE |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 351 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 9 22 - 9 27 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
|
| シリーズ | CoolSiC™ |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 2000 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 89A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 15V, 18V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5.5V @ 24mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 137 nC @ 18 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | +20V, -7V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 576W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 33mOhm @ 40A, 18V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-4-U04 |
| パッケージ/ケース | TO-247-4 |
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