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部品番号 | IPB017N10N5LFATMA1 |
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メーカ | Infineon Technologies |
説明 | MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 |
データシート | |
パッケージ | - |
ECAD | |
在庫 | 3,488 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# V72:2272_17076743 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# IPB017N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
DIFFERENTIATED MOSFETS - Tape and Reel (Alt: IPB017N10N5LFATMA1) |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# SP001503850 |
Infineon Technologies AG |
DIFFERENTIATED MOSFETS (Alt: SP001503850) RoHS: Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# IPB017N10N5LFATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# 2986455 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, 313W, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 100V 180A 313W Surface Mount PG-TO263-7 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3663 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# 93AC7097 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, 313W, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:180A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.0015ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.3V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1336 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB017N10N5LFATMA1 D# 2986455 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, 313W, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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18 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
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