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部品番号 | IPB020N10N5LFATMA1 |
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メーカ | Infineon Technologies |
説明 | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 |
データシート | |
パッケージ | - |
ECAD | |
在庫 | 6,080 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
リードタイム | 確認する |
推定配達時間 | 6 10 - 6 15 (迅速な出荷を選択) |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB020N10N5LFATMA1 D# V36:1790_17076744 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB020N10N5LFATMA1 D# IPB020N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB020N10N5LFATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB020N10N5LFATMA1 D# SP001503854 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SP001503854) RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB020N10N5LFATMA1 D# IPB020N10N5LFATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB020N10N5LFATMA1 D# 2986456RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 313W, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB020N10N5LFATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
964 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB020N10N5LFATMA1 D# 93AC7098 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 150DEG C, 313W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:120A, On Resistance Rds(on):0.0018ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:3.3V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB020N10N5LFATMA1 D# 2986456 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, 313W, TO-263 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
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