| 部品番号 | IPB080N03L G |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3 |
| データシート | |
| パッケージ | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 在庫 | 336,072 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | すぐに出荷可能 |
| 推定配達時間 | 1 13 - 1 18 (迅速な出荷を選択) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| シリーズ | OptiMOS? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 47W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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105-272H | API Delevan Inc., FIXED IND 2.7UH 220MA 2 OHM SMD, 2-SMD, No Lead, OptiMOS? | 見る |
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KJB0T25F61JN | ITT Cannon, LLC, CONN RCPT 61POS WALL MNT SKT, -, OptiMOS? | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB080N03LGATMA1 D# IPB080N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin TO-263 T/R - Bulk (Alt: IPB080N03LGATMA1) |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB080N03LGATMA1 D# 2156-IPB080N03LGATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
PFET, 48A I(D), 30V, 0.0119OHM, |
16323 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB080N03LGATMA1 |
Rochester Electronics LLC |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2695 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB080N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPB080N03 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
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16323 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB080N03LGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
579 |
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