| 部品番号 | IPB093N04LG |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
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| リードタイム | 確認する |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | OptiMOS™ 3 |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 77µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2100 pF @ 20 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 47W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 9.3mOhm @ 50A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO-263-3-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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