部品番号 | IPB107N20N3 G |
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メーカ | Infineon Technologies |
説明 | MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3 |
データシート | |
パッケージ | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ECAD | |
在庫 | 390,000 piece(s) |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# V72:2272_06377982 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# 79X1432 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 79X1432) RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# SP000676406 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263 (Alt: SP000676406) RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3 G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 88A, TO-263-3 |
858 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# C1S322000438141 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) TO-263 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1790 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3G |
Infineon Technologies AG |
N-Channel 200V 88A(Tc) 4V @ 270uA 10.7mohms @ 88A,10V 300W(Tc) TO-263-3 MOSFET RoHS |
1978 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3 G |
Infineon Technologies AG |
RoHS (ship within 1day) - D/C 2019 |
685 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# IPB107N20N3GATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK |
2981 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3 G |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
5260 |
IPB107N20N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
220 |
IPB107N20N3G |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
8260 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# 2432725RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 88A, TO-263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
69600 |
IPB107N20N3G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
63800 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3G D# C444895 |
Infineon Technologies AG | 1973 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3 G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
100000 |
IPB107N20N3G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
8000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# 726-IPB107N20N3GATMA |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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1636 |
IPB107N20N3 G D# 726-IPB107N20N3GXT |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 RoHS: Compliant
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2177 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# 79X1432 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 200V, 88A, TO-263- 3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:200V, Continuous Drain Current Id:88A, On Resistance Rds(on):0.0096ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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121 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3 G D# NS-IPB107N20N3 G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
4049 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3G |
Infineon Technologies AG |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 88A I(D), 200V, 0.0107OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB |
548 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# 7545434 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 88 A, 200 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB107N20N3GATMA1, EA Min Qty: 1
Container: Bulk
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137 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3 G D# TMOSP10062 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET 200V 11mOhm 88A TO263 RoHS: Compliant
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3 G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
53346 |
IPB107N20N3GATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
166 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3 G |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
99985 |
IPB107N20N3G |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
8015 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3G |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
8990 |
IPB107N20N3 G |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
24 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# 53521580 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
IPB107N20N3G D# 36532005 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3G |
Infineon Technologies AG |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) |
16002 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPB107N20N3GATMA1 D# 2432725RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N CH, 200V, 88A, TO-263-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
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86-755-83210559-841
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FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD
IC MCU 8BIT 60KB FLASH 64QFP
RES SMD 0.01 OHM 1% 1W 2010
XFRMR MODUL 2PORT POE 1:1 10/100
IC POWER SEQUENCER SOT23-6
PHOTODIODE BI-CELL TO-46
TVS DIODE 6.5VWM 30VC 6SLP
IC CLK BUFFER 1:2 1.6GHZ 32LFCSP
IC SOC CORTEX-A9 ARTIX-7 484BGA
IC MCU 8BIT 16KB FLASH 32LQFP