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| 部品番号 | IPD60R280P7ATMA1 |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | LOW POWER_NEW |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 6,048 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 30 - 12 5 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | * |
| FETタイプ | - |
| 技術 | - |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | - |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | - |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| パッケージ/ケース | - |
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SIT8208AC-G2-28S-14.000000Y | SiTime, -20 TO 70C, 2520, 25PPM, 2.8V, 1, -, * | 見る |
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SIT1602BI-71-XXE-31.250000D | SiTime, -40 TO 85C, 2016, 20PPM, 2.25V-3, -, * | 見る |
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LGN2H271MELC40 | Nichicon, CAP ALUM 270UF 20% 500V SNAP, Radial, Can - Snap-In, * | 見る |
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TM4C123FH6PMIR | Texas Instruments, IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64LQFP, 64-LQFP, * | 見る |
 
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TSC2007IPWRQ1 | Texas Instruments, IC TOUCH SCREEN 12BIT 16TSSOP, 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), * | 見る |
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23S05E-1DCG8 | IDT, Integrated Device Technology Inc, IC CLK BUFFER PLL STD DRV 8-SOIC, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), * | 見る |
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FTLX3971MTC46 | Finisar Corporation, TXRX DWDM XFP, -, * | 見る |
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5135 | Keystone Electronics, SWITCH TACTILE SPST-NO 12MA 24V, -, * | 見る |
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RNC50J2132BSRE6 | Vishay Dale, RES 21.3K OHM 1/10W .1% AXIAL, Axial, * | 見る |
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9C06031A4700FKHFT | Yageo, RES SMD 470 OHM 1% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), * | 見る |
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2758473 | Phoenix Contact, CONN D-SUB 9POS SOLDER, -, * | 見る |
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D38999/20FB35SN | Souriau, CONN RCPT 13POS WALL MNT W/SCKT, -, * | 見る |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 D# V36:1790_18205319 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 D# IPD60R280P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin TO-252 T/R - Bulk (Alt: IPD60R280P7ATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 D# SP001658316 |
Infineon Technologies AG |
Transistor MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001658316) RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 D# IPD60R280P7ATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 |
958 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 D# 2986467 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, 53W, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2186 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 650 V 280 mOhm 18 nC CoolMOS™ Power Mosfet - DPAK RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
2564 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 D# 726-IPD60R280P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET LOW POWER_NEW RoHS: Compliant
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2986 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 D# 93AC7115 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, 53W, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:12A, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):0.214ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3.5V, Power RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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2017 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IPD60R280 - 12A, 600V, 0.28ohm, N-Chanel Power MOSFET, TO-252 RoHS: Compliant
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803 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD60R280P7ATMA1 D# 2986467 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, 53W, TO-252 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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2046 |
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