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部品番号 | IPD80R1K4CEATMA1 |
---|---|
メーカ | Infineon Technologies |
説明 | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
データシート | |
パッケージ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ECAD | |
在庫 | 3,216 piece(s) |
単価 | Request a Quote |
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部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# V72:2272_06383758 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# IPD80R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 3.9A 3-Pin TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: IPD80R1K4CEATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# SP001130972 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 3.9A 3-Pin TO-252 T/R (Alt: SP001130972) RoHS: Compliant
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
COOL MOS - Tape and Reel |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# C1S322000422326 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
4940 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# IPD80R1K4CEATMA1CT-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
4498 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# 2726058 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 800V, 3.9A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
3123 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 800 V 1.4 Ohm 23 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-252-3 RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
|
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
8700 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM Immediate delivery |
88720 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# 726-IPD80R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 800V 3.9A DPAK-2 RoHS: Compliant
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2809 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# XSKDRABS005647 |
Infineon Technologies AG |
TO252-3/800V CoolMOS CE Power Transistor |
5000 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# 13AC9051 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 800V, 3.9A, TO-252-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:800V, Continuous Drain Current Id:3.9A, On Resistance Rds(on):1.2ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
7516 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 |
Infineon Technologies AG |
IN stock Immediate delivery |
88705 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# 43721008 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
0 |
部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPD80R1K4CEATMA1 D# 2726058 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 800V, 3.9A, TO-252-3 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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1755 |
Heisenerの品質へのこだわりは、調達、テスト、出荷、そしてその間のあらゆるステップのための私達のプロセスを形作りました。 この基盤は私達が販売する各部品の基礎になります。
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