| 部品番号 | IPP048N06L G |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 |
| データシート | |
| パッケージ | TO-220-3 |
| ECAD |
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| 在庫 | 5,616 piece(s) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | TO-220-3 |
| ECAD |
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| シリーズ | OptiMOS? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 100A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 270µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 225nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7600pF @ 30V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 4.7 mOhm @ 100A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO220-3-1 |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPP048N06L G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPP048N06L G D# IPP048N06LGIN-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPP048N06LG |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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5286 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPP048N06LG |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1137 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPP048N06L G D# NS-IPP048N06L G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
6476 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPP048N06LG(048N06L) |
Infineon Technologies AG |
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14 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IPP048N06LG |
INF??? |
RFQ |
5661 |
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