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| 部品番号 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 9 30 - 10 5 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | OptiMOS™ 6 |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 120 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 29A (Ta), 331A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 8V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.6V @ 275µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 141 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 11000 pF @ 60 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3W (Ta), 395W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.7mOhm @ 150A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |
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