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| 部品番号 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|
| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 11 18 - 11 23 (迅速な出荷を選択) |
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| お支払い方法 | |
| 配達サービス |
| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | OptiMOS™ 5 |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta), 85A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.8V @ 48µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.5W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-WHTFN-9-1 |
| パッケージ/ケース | 9-PowerWDFN |
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