| 部品番号 | IRF6811STR1PBF |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET |
| データシート | |
| パッケージ | DirectFET? Isometric SQ |
| ECAD |
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| 在庫 | 3,840 piece(s) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | DirectFET? Isometric SQ |
| ECAD |
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| シリーズ | HEXFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 19A (Ta), 74A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.1V @ 35µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1590pF @ 13V |
| Vgs（最大） | ±16V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 3.7 mOhm @ 19A, 10V |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DIRECTFET? SQ |
| パッケージ/ケース | DirectFET? Isometric SQ |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRF6811STR1PBF |
International Rectifier |
Single N-Channel 25 V 2.1 W 11 nC Power Mosfet Surface Mount- DirectFET |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRF6811STR1PBF |
International Rectifier |
RoHS: Compliant
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0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRF6811STR1PBF D# IRF6811STR1PBFTR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRF6811STR1PBF |
International Rectifier |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
1160 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRF6811STR1PBF |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
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