| 部品番号 | IRFD123 |
|---|---|
| メーカ | Harris Corporation |
| 説明 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP |
| データシート | |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| 在庫 | 0 piece(s) |
| 単価 | Request a Quote |
| リードタイム | 確認する |
| 推定配達時間 | 10 29 - 11 3 (迅速な出荷を選択) |
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| 配達サービス |
| メーカ | Harris Corporation |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | - |
| ECAD |
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| シリーズ | - |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | - |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 270mOhm @ 780mA, 10V |
| 動作温度 | - |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | 4-HVMDIP |
| パッケージ/ケース | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
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