| 部品番号 | IRLR8103TR |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 89A DPAK |
| データシート | |
| パッケージ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| 在庫 | 7,552 piece(s) |
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| メーカ | Infineon Technologies |
| 範疇 | ディスクリート半導体製品 - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| パッケージ | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ECAD |
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| シリーズ | HEXFET? |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 89A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 250µA (Min) |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 50nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 89W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7 mOhm @ 15A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRLR8103TRL |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK |
0 |
IRLR8103TRR |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK |
0 |
IRLR8103TR |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRLR8103TRR D# IRLR8103TRR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK |
0 |
IRLR8103TR D# IRLR8103TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK |
0 |
IRLR8103TRL D# IRLR8103TRL-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK |
0 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRLR8103TRR |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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5260 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRLR8103TRR D# NS-IRLR8103TRR |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
2812 |
IRLR8103TR D# NS-IRLR8103TR |
International Rectifier |
OEM/CM ONLY |
9124 |
IRLR8103TRL D# NS-IRLR8103TRL |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
1615 |
| 部品番号 | メーカ | 説明 | 在庫 |
IRLR8103TRL |
Vishay Huntington |
shipping today |
45635 |
IRLR8103TR |
International Rectifier |
shipping today |
45635 |
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